参数名称 | 参数值 |
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Source Content uid | IRF1018ESTRLPBF |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Not Recommended |
Objectid | 8006005659 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 16 weeks 3 days |
风险等级 | 5.98 |
Samacsys Description | Infineon IRF1018ESTRLPBF N-channel MOSFET, 79 A, 60 V HEXFET, 3-Pin D2PAK |
Samacsys Manufacturer | Infineon |
Samacsys Modified On | 2023-03-07 16:10:32 |
YTEOL | 3 |
雪崩能效等级(Eas) | 88 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 60 V |
最大漏极电流 (ID) | 79 A |
最大漏源导通电阻 | 0.0084 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 110 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 315 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |