Fri Mar 29 2024 06:39:59 GMT+0800 (China Standard Time)

随身查
mini app
扫码添加小程序
手机随时查器件
IRF1310NPBF
晶体管 > 功率场效应晶体管

IRF1310NPBF

Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 100V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥8.6869
市场总库存:
14,585
生命周期状态:
Active
风险等级:
0.7
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid IRF1310NPBF
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 8006005766
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 16 weeks 4 days
风险等级 0.7
Samacsys Description MOSFET MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC
Samacsys Manufacturer Infineon
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 5.3
其他特性 AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级(Eas) 420 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V
最大漏极电流 (ID) 42 A
最大漏源导通电阻 0.036 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 160 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 140 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Infineon Technologies AG
团队正努力扩充器件资源,敬请期待!
对比栏已满,请删除不需要的器件再继续添加哦!
对比栏
取消