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IRF1404LPBF
晶体管 > 功率场效应晶体管

IRF1404LPBF

Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, LEAD FREE, PLASTIC, TO-262, 3 PIN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥18.4057
市场总库存:
13,164
生命周期状态:
Not Recommended
风险等级:
0.7
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid IRF1404LPBF
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Not Recommended
Objectid 8006005792
包装说明 LEAD FREE, PLASTIC, TO-262, 3 PIN
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 10 weeks
风险等级 0.7
Samacsys Manufacturer Infineon
Samacsys Modified On 2024-03-08 07:56:20
YTEOL 3
其他特性 AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas) 519 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 40 V
最大漏极电流 (ID) 75 A
最大漏源导通电阻 0.004 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-262AA
JESD-30 代码 R-PSIP-T3
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 200 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 650 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Infineon Technologies AG
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