Sat Apr 20 2024 02:30:59 GMT+0800 (China Standard Time)

随身查
mini app
扫码添加小程序
手机随时查器件
IRF1407STRLPBF
晶体管 > 功率场效应晶体管

IRF1407STRLPBF

Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥20.3764
市场总库存:
13,161
生命周期状态:
Active
风险等级:
0.6
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid IRF1407STRLPBF
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 8006005818
包装说明 LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 10 weeks
风险等级 0.6
Samacsys Description MOSFET MOSFT 75V 100A 7.8mOhm 160nC
Samacsys Manufacturer Infineon
Samacsys Modified On 2024-02-14 05:48:42
YTEOL 5.9
其他特性 HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas) 390 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 75 V
最大漏极电流 (ID) 75 A
最大漏源导通电阻 0.0078 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 3.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 520 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Infineon Technologies AG
团队正努力扩充器件资源,敬请期待!
对比栏已满,请删除不需要的器件再继续添加哦!
对比栏
取消