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IRF530SPBF
晶体管 > 功率场效应晶体管

IRF530SPBF

Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, SMD-220, D2PAK-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥6.2975
市场总库存:
13,288
生命周期状态:
Active
风险等级:
-
风险等级:
暂无风险等级信息
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1639819111
包装说明 LEAD FREE, PLASTIC, SMD-220, D2PAK-3
针数 3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 17 weeks 5 days
Samacsys Description N-Channel 100 V 14A (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Samacsys Manufacturer Vishay
Samacsys Modified On 2023-12-18 06:25:11
YTEOL 5.6
雪崩能效等级(Eas) 69 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V
最大漏极电流 (ID) 14 A
最大漏源导通电阻 0.16 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 88 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 56 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Vishay Intertechnologies
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