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IRF540PBF
晶体管 > 功率场效应晶体管

IRF540PBF

Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥6.1527
市场总库存:
43,381
生命周期状态:
Active
风险等级:
-
风险等级:
暂无风险等级信息
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1639819390
零件包装代码 TO-220AB
针数 3
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
Samacsys Description Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Samacsys Manufacturer Vishay
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 5.1
其他特性 AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas) 230 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V
最大漏极电流 (ID) 28 A
最大漏源导通电阻 0.077 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 120 pF
JEDEC-95代码 TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 110 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 MATTE TIN
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Vishay Intertechnologies
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