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IRF7465TRPBF
晶体管 > 小信号场效应晶体管

IRF7465TRPBF

Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SOP-8
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥7.0294
市场总库存:
51,510
生命周期状态:
Active
风险等级:
0.75
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid IRF7465TRPBF
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 8272241002
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 52 weeks
风险等级 0.75
Samacsys Description Infineon IRF7465TRPBF N-channel MOSFET, 1.9 A, 150 V HEXFET, 8-Pin SOIC
Samacsys Manufacturer Infineon
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 6.9
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 150 V
最大漏极电流 (ID) 1.9 A
最大漏源导通电阻 0.28 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 MS-012AA
JESD-30 代码 R-PDSO-G8
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Infineon Technologies AG
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