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IRF840ASPBF
晶体管 > 功率场效应晶体管

IRF840ASPBF

Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥10.8577
市场总库存:
19,788
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
-
风险等级:
暂无风险等级信息
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Transferred
Objectid 1780508719
零件包装代码 D2PAK
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 4
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
Samacsys Description MOSFET 500V N-CH HEXFET D2-PA
Samacsys Manufacturer Vishay
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
雪崩能效等级(Eas) 510 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 500 V
最大漏极电流 (ID) 8 A
最大漏源导通电阻 0.85 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 32 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Vishay Intertechnologies
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