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IRF9640SPBF
晶体管 > 功率场效应晶体管

IRF9640SPBF

Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥11.1473
市场总库存:
12,290
生命周期状态:
Active
风险等级:
0.53
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1639824270
零件包装代码 D2PAK
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 4
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 16 weeks 5 days
风险等级 0.53
Samacsys Description P-channel MOSFET,IRF9640S 11A 200V
Samacsys Manufacturer Vishay
Samacsys Modified On 2024-02-12 20:34:58
YTEOL 5.97
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE
最小漏源击穿电压 200 V
最大漏极电流 (ID) 11 A
最大漏源导通电阻 0.5 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 125 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Vishay Intertechnologies
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