Fri May 10 2024 19:05:20 GMT+0800 (China Standard Time)

随身查
mini app
扫码添加小程序
手机随时查器件
IRFBC30APBF
晶体管 > 功率场效应晶体管

IRFBC30APBF

Vishay Intertechnologies
Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
6,360
生命周期状态:
Active
风险等级:
1.32
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1639825527
零件包装代码 TO-220AB
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 12 weeks
风险等级 1.32
Samacsys Description Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A
Samacsys Manufacturer Vishay
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 5.8
雪崩能效等级(Eas) 290 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 600 V
最大漏极电流 (ID) 3.6 A
最大漏源导通电阻 2.2 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 3.5 pF
JEDEC-95代码 TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 74 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 14 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 MATTE TIN
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Vishay Intertechnologies
团队正努力扩充器件资源,敬请期待!
对比栏已满,请删除不需要的器件再继续添加哦!
对比栏
取消