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IRFBC30ASPBF
晶体管 > 功率场效应晶体管

IRFBC30ASPBF

Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥13.3912
市场总库存:
4,727
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
2.11
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Transferred
Objectid 1784060849
零件包装代码 D2PAK
包装说明 ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3
针数 4
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 2.11
Samacsys Manufacturer Vishay
Samacsys Modified On 2021-11-21 14:07:43
雪崩能效等级(Eas) 290 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 600 V
最大漏极电流 (ID) 3.6 A
最大漏源导通电阻 2.2 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 14 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Vishay Intertechnologies
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