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IRFDC20PBF
晶体管 > 小信号场效应晶体管

IRFDC20PBF

Vishay Intertechnologies
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.32A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, HVMDIP-4
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥16.1260
市场总库存:
16,044
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
-
风险等级:
暂无风险等级信息
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Transferred
Objectid 1780509673
零件包装代码 DIP
包装说明 ROHS COMPLIANT, HVMDIP-4
针数 4
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
Samacsys Description Vishay Siliconix IRFDC20PBF N-channel MOSFET Transistor, 0.32 A, 600 V, 4-Pin HVMDIP
Samacsys Manufacturer Vishay
Samacsys Modified On 2023-06-22 02:40:13
其他特性 AVALANCHE RATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 600 V
最大漏极电流 (ID) 0.32 A
最大漏源导通电阻 4.4 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDIP-T3
JESD-609代码 e3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 MATTE TIN
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Vishay Intertechnologies
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