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IRFP21N60LPBF
晶体管 > 功率场效应晶体管

IRFP21N60LPBF

Vishay Intertechnologies
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥9.1205
市场总库存:
1,308
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
-
风险等级:
暂无风险等级信息
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Transferred
Objectid 1577038453
零件包装代码 TO-247
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
Samacsys Description Trans MOSFET N-CH 600V 21A
Samacsys Manufacturer Vishay
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
雪崩能效等级(Eas) 420 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 600 V
最大漏极电流 (ID) 21 A
最大漏源导通电阻 0.32 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-247
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 84 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
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