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IRFP22N50APBF
晶体管 > 功率场效应晶体管

IRFP22N50APBF

Vishay Intertechnologies
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, HALOGEN FREE, PLASTIC PACKAGE-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥37.6109
市场总库存:
9,057
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
7.42
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Transferred
Objectid 2136546313
零件包装代码 TO-247AC
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 7.42
Samacsys Description N-channel MOSFET,IRFP22N50A 22A 500V
Samacsys Manufacturer Vishay
Samacsys Modified On 2023-07-13 08:23:13
雪崩能效等级(Eas) 1180 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 500 V
最大漏极电流 (ID) 22 A
最大漏源导通电阻 0.23 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-247AC
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 88 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 40
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Vishay Intertechnologies
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