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IRFP250NPBF
晶体管 > 功率场效应晶体管

IRFP250NPBF

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-247AC, LEAD FREE PACKAGE-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥16.1500
市场总库存:
31,096
生命周期状态:
Active
风险等级:
0.55
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid IRFP250NPBF
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 8006011922
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 10 weeks
风险等级 0.55
Samacsys Description N-channel MOSFET,IRFP250N 30A 200V 190W
Samacsys Manufacturer Infineon
Samacsys Modified On 2023-06-22 02:40:14
YTEOL 5.88
其他特性 AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas) 315 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V
最大漏极电流 (ID) 30 A
最大漏源导通电阻 0.075 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-247AC
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 214 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 120 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Infineon Technologies AG
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