参数名称 | 参数值 |
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Source Content uid | IRFP250NPBF |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Active |
Objectid | 8006011922 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 10 weeks |
风险等级 | 0.55 |
Samacsys Description | N-channel MOSFET,IRFP250N 30A 200V 190W |
Samacsys Manufacturer | Infineon |
Samacsys Modified On | 2023-06-22 02:40:14 |
YTEOL | 5.88 |
其他特性 | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE |
雪崩能效等级(Eas) | 315 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 200 V |
最大漏极电流 (ID) | 30 A |
最大漏源导通电阻 | 0.075 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-247AC |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 214 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 120 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |