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IRFP460
晶体管 > 功率场效应晶体管

IRFP460

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥29.8043
市场总库存:
-
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
8.37
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Transferred
Objectid 101434890
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.37
配置 SINGLE
最大漏极电流 (ID) 20 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e0
元件数量 1
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 280 W
表面贴装 NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
参数规格与技术文档
Philips Semiconductors
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