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IRFP4868PBF
晶体管 > 功率场效应晶体管

IRFP4868PBF

Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 300V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥57.7150
市场总库存:
10,724
生命周期状态:
Not Recommended
风险等级:
6.46
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid IRFP4868PBF
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Not Recommended
Objectid 8006011967
包装说明 ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 12 weeks
风险等级 6.46
Samacsys Description International Rectifier IRFP4868PBF N-channel MOSFET Transistor, 70 A, 300 V, 3-Pin TO-247AC
Samacsys Manufacturer Infineon
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 3
雪崩能效等级(Eas) 1093 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 300 V
最大漏极电流 (ID) 70 A
最大漏源导通电阻 0.032 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-247AC
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 517 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 280 A
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Infineon Technologies AG
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