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IRFPC60PBF
晶体管 > 功率场效应晶体管

IRFPC60PBF

Vishay Intertechnologies
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥41.2595
市场总库存:
4,131
生命周期状态:
Active
风险等级:
1.37
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1639831905
零件包装代码 TO-247AC
针数 3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 18 weeks
风险等级 1.37
Samacsys Description IRFPC60PBF
Samacsys Manufacturer Vishay
Samacsys Modified On 2024-03-05 08:05:37
YTEOL 5.95
雪崩能效等级(Eas) 1000 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 600 V
最大漏极电流 (ID) 16 A
最大漏源导通电阻 0.4 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 98 pF
JEDEC-95代码 TO-247AC
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 280 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 64 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 MATTE TIN
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Vishay Intertechnologies
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