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IRFR13N20DTR
晶体管 > 功率场效应晶体管

IRFR13N20DTR

Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 200V, 0.235ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.63
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1504976366
零件包装代码 TO-252AA
包装说明 PLASTIC, DPAK-3
针数 3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 9.63
YTEOL 0
其他特性 AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas) 130 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V
最大漏极电流 (ID) 13 A
最大漏源导通电阻 0.235 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252AA
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e0
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 240
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 110 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 52 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
International Rectifier
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