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IRFR1N60ATRLPBF
晶体管 > 功率场效应晶体管

IRFR1N60ATRLPBF

Vishay Intertechnologies
Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 600V, 7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3
市场均价:
¥99.7795
市场总库存:
9,617
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
-
风险等级:
暂无风险等级信息
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Transferred
Objectid 1810358263
零件包装代码 TO-252
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
Samacsys Manufacturer Vishay
Samacsys Modified On 2021-03-10 21:19:48
雪崩能效等级(Eas) 93 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 600 V
最大漏极电流 (ID) 1.4 A
最大漏源导通电阻 7 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 5.6 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
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