参数名称 | 参数值 |
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Source Content uid | IRFTS9342TRPBF |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Active |
Objectid | 8006012518 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 20 weeks |
风险等级 | 1.14 |
Samacsys Description | INFINEON - IRFTS9342TRPBF - MOSFET, P-CH, 30V, 5.8A, 6TSOP |
Samacsys Manufacturer | Infineon |
Samacsys Modified On | 2023-03-07 16:10:32 |
YTEOL | 5.4 |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V |
最大漏极电流 (ID) | 5.8 A |
最大漏源导通电阻 | 0.04 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 6 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 2 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 46 A |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |