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IRFW540A
晶体管 > 功率场效应晶体管

IRFW540A

Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.18
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid IRFW540A
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1514367199
零件包装代码 D2PAK
包装说明 D2PAK-3
针数 3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 9.18
YTEOL 0
雪崩能效等级(Eas) 523 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V
最大漏极电流 (ID) 28 A
最大漏源导通电阻 0.052 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 3.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 110 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Fairchild Semiconductor Corporation
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