IRFW630BTM_FP001
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IRFW630BTM_FP001

Discrete MOSFET, TO-263 2L (D2PAK), 6400-TAPE REEL
市场均价:
¥39.5783
市场总库存:
-
生命周期状态:
Not Recommended
风险等级:
5.2
设计
产品
长期
参数规格
数据手册
IRFW630BTM_FP001
ON Semiconductor
详细参数
参数名称 参数值
Brand Name ON Semiconductor
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Not Recommended
IHS 制造商 ON SEMICONDUCTOR
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
制造商包装代码 TO263A02
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.95
Factory Lead Time 1 week
风险等级 5.2
雪崩能效等级(Eas) 160 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 245
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 36 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
Base Number Matches 1
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3dlogo ECAD 模型
ECAD 模型信息
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型号:IRFW630BTM_FP001
制造商:ON Semiconductor
替代料
认证替代料(1)
FE 功能等同替代料,包含 FFF 形态、装配、功能兼容替代料 (1):
对比 型号 厂商 描述 生命周期 风险等级
对比 IRFW630BTM_FP001
功率场效应晶体管
当前料
ON Semiconductor
Discrete MOSFET, TO-263 2L (D2PAK), 6400-TAPE REEL
Not Recommended
对比 IRFW630BTM-FP001
功率场效应晶体管
FFF
ON Semiconductor
Discrete MOSFET, TO-263 2L (D2PAK), 800-REEL
Not Recommended
价格 & 库存
价格走势
当前暂无数据分析
库存走势
当前暂无数据分析
同型号不同厂商
同型号不同厂商的对比(1)
对比 型号 描述 厂商 生命周期 风险等级
对比 IRFW630BTM_FP001
功率场效应晶体管
当前料
Discrete MOSFET, TO-263 2L (D2PAK), 6400-TAPE REEL
ON Semiconductor Not Recommended
对比 IRFW630BTM_FP001
功率场效应晶体管
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, D2PAK-3
Fairchild Semiconductor Corporation Transferred
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