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IRL1004

Infineon Technologies AG

Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 40V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,

数据手册:

ECAD 模型:

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Not Recommended

风险等级:

9.26

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格

详细参数

参数名称	参数值
是否Rohs认证	不符合
生命周期	Not Recommended
Objectid	8301436259
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
风险等级	9.26
Samacsys Description	N-channel logicFET,IRL1004 130A 40V
Samacsys Manufacturer	Infineon
Samacsys Modified On	2020-11-30 19:47:12
YTEOL	3
其他特性	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）	700 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	40 V
最大漏极电流 (ID)	130 A
最大漏源导通电阻	0.0065 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	520 A
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

参数规格与技术文档

Infineon Technologies AG