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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 8299739446 |
| 包装说明 | QFN-6 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time | 20 weeks |
| 风险等级 | 1.68 |
| Samacsys Description | INFINEON - IRL100HS121 - MOSFET, N-CH, 100V, 11A, 11.5W, PQFN |
| Samacsys Manufacturer | Infineon |
| Samacsys Modified On | 2023-03-07 16:10:32 |
| YTEOL | 5.85 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 13 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 10.2 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.042 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 6.3 pF |
| JESD-30 代码 | S-PDSO-N6 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 6 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 2.5 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 11.5 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 41 A |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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苏公网安备 32059002001873号