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IRL1404PBF
晶体管 > 功率场效应晶体管

IRL1404PBF

Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥19.8641
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
6.69
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid IRL1404PBF
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Obsolete
Objectid 8006016653
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 6.69
Samacsys Description Infineon IRL1404PBF N-channel MOSFET, 160 A, 40 V HEXFET, 3-Pin TO-220AB
Samacsys Manufacturer Infineon
Samacsys Modified On 2021-09-24 22:11:19
YTEOL 0
其他特性 AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas) 620 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 40 V
最大漏极电流 (ID) 160 A
最大漏源导通电阻 0.004 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 200 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 640 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Infineon Technologies AG
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