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IRL3705NSTRLPBF
晶体管 > 功率场效应晶体管

IRL3705NSTRLPBF

Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 89A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
市场均价:
¥6.9569
市场总库存:
13,813
生命周期状态:
Active
风险等级:
0.58
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid IRL3705NSTRLPBF
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 8006017223
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 10 weeks
风险等级 0.58
Samacsys Manufacturer Infineon
Samacsys Modified On 2023-10-06 10:58:28
YTEOL 5.55
其他特性 AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级(Eas) 340 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 55 V
最大漏极电流 (ID) 89 A
最大漏源导通电阻 0.012 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 310 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Infineon Technologies AG
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