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IRLR024NTRPBF
晶体管 > 功率场效应晶体管

IRLR024NTRPBF

Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥9.0773
市场总库存:
150,886
生命周期状态:
Active
风险等级:
0.56
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid IRLR024NTRPBF
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 8006018448
Reach Compliance Code not_compliant
Country Of Origin Mainland China, Taiwan, USA
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 10 weeks
风险等级 0.56
Samacsys Description Infineon IRLR024NTRPBF N-channel MOSFET, 17 A, 55 V HEXFET, 3-Pin DPAK
Samacsys Manufacturer Infineon
Samacsys Modified On 2023-02-22 15:27:29
YTEOL 5.4
其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas) 68 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 55 V
最大漏极电流 (ID) 17 A
最大漏源导通电阻 0.08 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252AA
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 72 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Infineon Technologies AG
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