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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Source Content uid | IRLR7843TRPBF |
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 8006018571 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 12 weeks |
| 风险等级 | 0.61 |
| Samacsys Description | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC |
| Samacsys Manufacturer | Infineon |
| Samacsys Modified On | 2024-03-15 09:38:06 |
| YTEOL | 5.3 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 1440 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 30 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0033 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-252AA |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 140 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 620 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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苏公网安备 32059002001873号