Fri Mar 29 2024 17:00:03 GMT+0800 (China Standard Time)

随身查
mini app
扫码添加小程序
手机随时查器件
IRLR7843TRPBF
晶体管 > 功率场效应晶体管

IRLR7843TRPBF

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥9.3181
市场总库存:
10
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
7.2
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Transferred
Objectid 2049524262
零件包装代码 TO-252AA
包装说明 LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3
针数 3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 7.2
雪崩能效等级(Eas) 1440 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V
最大漏极电流 (ID) 30 A
最大漏源导通电阻 0.0033 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252AA
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 140 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 620 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
International Rectifier
International Rectifier
团队正努力扩充器件资源,敬请期待!
对比栏已满,请删除不需要的器件再继续添加哦!
对比栏
取消