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IS43TR16128B-125KBLI
存储 > DRAM

IS43TR16128B-125KBLI

Integrated Silicon Solution Inc
DDR DRAM, 128MX16, 0.225ns, CMOS, PBGA96, BGA-96
市场均价:
¥108.4217
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
7.49
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1338636602
包装说明 TFBGA, BGA96,9X16,32
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.36
风险等级 7.49
Samacsys Manufacturer Integrated Silicon Solution Inc.
Samacsys Modified On 2019-05-08 06:34:04
YTEOL 0
访问模式 MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.225 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 800 MHz
I/O 类型 COMMON
交错的突发长度 4,8
JESD-30 代码 R-PBGA-B96
长度 13 mm
内存密度 2147483648 bit
内存集成电路类型 DDR3 DRAM
内存宽度 16
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 96
字数 134217728 words
字数代码 128000000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C
最低工作温度 -40 °C
组织 128MX16
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA
封装等效代码 BGA96,9X16,32
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态 Not Qualified
刷新周期 8192
座面最大高度 1.2 mm
自我刷新 YES
连续突发长度 4,8
最大待机电流 0.014 A
最大压摆率 0.33 mA
最大供电电压 (Vsup) 1.575 V
最小供电电压 (Vsup) 1.425 V
标称供电电压 (Vsup) 1.5 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 INDUSTRIAL
端子形式 BALL
端子节距 0.8 mm
端子位置 BOTTOM
宽度 9 mm
参数规格与技术文档
Integrated Silicon Solution Inc
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