参数名称 | 参数值 |
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是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Obsolete |
Objectid | 1338636602 |
包装说明 | TFBGA, BGA96,9X16,32 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.32.00.36 |
风险等级 | 7.49 |
Samacsys Manufacturer | Integrated Silicon Solution Inc. |
Samacsys Modified On | 2019-05-08 06:34:04 |
YTEOL | 0 |
访问模式 | MULTI BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 0.225 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK) | 800 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
交错的突发长度 | 4,8 |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B96 |
长度 | 13 mm |
内存密度 | 2147483648 bit |
内存集成电路类型 | DDR3 DRAM |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 96 |
字数 | 134217728 words |
字数代码 | 128000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 128MX16 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TFBGA |
封装等效代码 | BGA96,9X16,32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 8192 |
座面最大高度 | 1.2 mm |
自我刷新 | YES |
连续突发长度 | 4,8 |
最大待机电流 | 0.014 A |
最大压摆率 | 0.33 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 1.575 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.425 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
宽度 | 9 mm |