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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Not Recommended |
| Objectid | 8088787919 |
| 包装说明 | TFBGA, |
| Reach Compliance Code | compliant |
| Country Of Origin | Mainland China, Taiwan |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.36 |
| Factory Lead Time | 8 weeks |
| 风险等级 | 6.99 |
| Samacsys Manufacturer | Integrated Silicon Solution Inc. |
| Samacsys Modified On | 2023-07-31 02:26:10 |
| YTEOL | 3 |
| 访问模式 | MULTI BANK PAGE BURST |
| 其他特性 | PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B96 |
| JESD-609代码 | e1 |
| 长度 | 13 mm |
| 内存密度 | 2147483648 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR3L DRAM |
| 内存宽度 | 16 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 96 |
| 字数 | 134217728 words |
| 字数代码 | 128000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 128MX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TFBGA |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.45 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.283 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.35 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
| 宽度 | 9 mm |
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苏公网安备 32059002001873号