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IXBH42N170
晶体管 > IGBT

IXBH42N170

Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, PLASTIC PACKAGE-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥208.2155
市场总库存:
1,118
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
3.12
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Transferred
Objectid 1536214864
零件包装代码 TO-247
包装说明 PLASTIC PACKAGE-3
针数 3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 3.12
其他特性 LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 80 A
集电极-发射极最大电压 1700 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值 5.5 V
门极-发射极最大电压 20 V
JEDEC-95代码 TO-247
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 300 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 Matte Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 10
晶体管应用 POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON
标称断开时间 (toff) 1070 ns
标称接通时间 (ton) 224 ns
参数规格与技术文档
IXYS Corporation
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