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IXLF19N250A
晶体管 > IGBT

IXLF19N250A

Insulated Gate Bipolar Transistor, 19A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, I4-PAC-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥454.4620
市场总库存:
-
生命周期状态:
Not Recommended
风险等级:
8.54
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Not Recommended
Objectid 4004436967
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.54
Samacsys Description Trans IGBT Chip N-CH 2500V 32A 250W 3-Pin ISOPLUS I4-PAC
Samacsys Manufacturer LITTELFUSE
Samacsys Modified On 2023-08-14 10:06:45
YTEOL 3
其他特性 HIGH RELIABILITY
外壳连接 ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 19 A
集电极-发射极最大电压 2500 V
配置 SINGLE
门极发射器阈值电压最大值 8 V
门极-发射极最大电压 20 V
JESD-30 代码 R-PSIP-T3
JESD-609代码 e1
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 250 W
认证状态 Not Qualified
参考标准 UL RECOGNIZED
表面贴装 NO
端子面层 TIN SILVER COPPER
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管应用 POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON
标称断开时间 (toff) 850 ns
标称接通时间 (ton) 150 ns
参数规格与技术文档
Littelfuse Inc
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