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JAN2N326
晶体管 > 功率双极晶体管

JAN2N326

GPD Optoelectronics Corp
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 1-Element, NPN, Germanium, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN
数据手册:
-
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.42
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 2078480828
零件包装代码 TO-204AA
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数 2
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 9.42
YTEOL 0
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 2 A
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 15
JEDEC-95代码 TO-3
JESD-30 代码 O-MBFM-P2
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 2
最高工作温度 100 °C
封装主体材料 METAL
封装形状 ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN
最大功率耗散 (Abs) 7 W
认证状态 Not Qualified
参考标准 MIL-19500/40B
表面贴装 NO
端子面层 TIN LEAD
端子形式 PIN/PEG
端子位置 BOTTOM
晶体管元件材料 GERMANIUM
标称过渡频率 (fT) 0.15 MHz
参数规格与技术文档
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