JAN2N326
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JAN2N326

GPD Optoelectronics Corp
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 1-Element, NPN, Germanium, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
5.89
设计
产品
长期
参数规格
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
IHS 制造商 GPD OPTOELECTRONICS CORP
零件包装代码 TO-204AA
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数 2
Reach Compliance Code unknown
风险等级 5.89
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 2 A
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 15
JEDEC-95代码 TO-3
JESD-30 代码 O-MBFM-P2
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 2
最高工作温度 100 °C
封装主体材料 METAL
封装形状 ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN
最大功率耗散 (Abs) 7 W
认证状态 Not Qualified
参考标准 MIL-19500/40B
子类别 Other Transistors
表面贴装 NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 PIN/PEG
端子位置 BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 GERMANIUM
标称过渡频率 (fT) 0.15 MHz
Base Number Matches 1
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3dlogo ECAD 模型
ECAD 模型信息
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型号:JAN2N326
制造商:GPD Optoelectronics Corp
替代料
FFF 形态、装配、功能兼容替代料(2) FE 功能等同替代料(2)
对比 型号 描述 厂商 生命周期 风险等级
对比 JAN2N326
功率双极晶体管
当前料
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 1-Element, NPN, Germanium, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN
GPD Optoelectronics Corp Obsolete
对比 JAN2N326
功率双极晶体管
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 1-Element, NPN, Germanium, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN
GPD Optoelectronics Corp Obsolete
对比 2N326
功率双极晶体管
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 35V V(BR)CEO, NPN, Germanium, Metal, 2 Pin, TO-3VAR, 2 PIN
Crimson Semiconductor Inc Obsolete
对比 型号 描述 厂商 生命周期 风险等级
对比 JAN2N326
功率双极晶体管
当前料
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 1-Element, NPN, Germanium, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN
GPD Optoelectronics Corp Obsolete
对比 JAN2N326
功率双极晶体管
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 1-Element, NPN, Germanium, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN
GPD Optoelectronics Corp Obsolete
对比 2N326
功率双极晶体管
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 35V V(BR)CEO, NPN, Germanium, Metal, 2 Pin, TO-3VAR, 2 PIN
Crimson Semiconductor Inc Obsolete
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