Thu Apr 25 2024 17:11:50 GMT+0800 (China Standard Time)

随身查
mini app
扫码添加小程序
手机随时查器件
JAN2N539A
晶体管 > 功率双极晶体管

JAN2N539A

GPD Optoelectronics Corp
Power Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥131.8918
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
8.78
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 2078481332
包装说明 POST/STUD MOUNT, O-XUPM-D3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.78
YTEOL 0
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 3.5 A
集电极-发射极最大电压 55 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 30
JESD-30 代码 O-XUPM-D3
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 95 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 ROUND
封装形式 POST/STUD MOUNT
极性/信道类型 PNP
最大功率耗散 (Abs) 10 W
认证状态 Not Qualified
参考标准 MIL-19500/38C
表面贴装 NO
端子形式 SOLDER LUG
端子位置 UPPER
晶体管元件材料 GERMANIUM
参数规格与技术文档
GPD Optoelectronics Corp
团队正努力扩充器件资源,敬请期待!
对比栏已满,请删除不需要的器件再继续添加哦!
对比栏
取消