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JAN2N6385
晶体管 > 功率双极晶体管

JAN2N6385

Power Bipolar Transistor,
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥768.2333
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.87
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Active
Objectid 7316428598
包装说明 FORMERLY TO-3, 2 PIN
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin USA
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.95
风险等级 7.87
YTEOL 4
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 10 A
基于收集器的最大容量 200 pF
集电极-发射极最大电压 80 V
配置 DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE) 100
JEDEC-95代码 TO-204AA
JESD-30 代码 O-MBFM-P2
元件数量 1
端子数量 2
最高工作温度 175 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 METAL
封装形状 ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN
功耗环境最大值 6 W
最大功率耗散 (Abs) 100 W
认证状态 Qualified
参考标准 MIL-19500
表面贴装 NO
端子形式 PIN/PEG
端子位置 BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
最大关闭时间(toff) 10000 ns
最大开启时间(吨) 2500 ns
VCEsat-Max 3 V
参数规格与技术文档
VPT Components
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