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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Source Content uid | JANHCA2N6788 |
| 是否Rohs认证 |  不符合 |
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 8006019561 |
| 包装说明 | DIE-3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 风险等级 | 7.39 |
| YTEOL | 6.82 |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 6 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-XUUC-N3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | UNCASED CHIP |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 20 W |
| 认证状态 | Qualified |
| 参考标准 | MIL-19500/555H |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | UPPER |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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苏公网安备 32059002001873号