参数名称 | 参数值 |
---|---|
是否无铅 | 含铅 |
生命周期 | Transferred |
Objectid | 1820720192 |
包装说明 | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | 3A001.A.1.A |
风险等级 | 7.11 |
雪崩能效等级(Eas) | 500 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 60 V |
最大漏极电流 (ID) | 35 A |
最大漏源导通电阻 | 0.03 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-CBCC-N3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 283 A |
认证状态 | Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |