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K4S561632E-TL75
存储 > DRAM

K4S561632E-TL75

Samsung Semiconductor
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
市场均价:
¥86.9616
市场总库存:
60
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
8.65
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1982034296
零件包装代码 TSOP2
包装说明 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
针数 54
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.24
风险等级 8.65
YTEOL 0
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 5.4 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 133 MHz
I/O 类型 COMMON
交错的突发长度 1,2,4,8
JESD-30 代码 R-PDSO-G54
JESD-609代码 e0
长度 22.22 mm
内存密度 268435456 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 16
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 54
字数 16777216 words
字数代码 16000000
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C
最低工作温度
组织 16MX16
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2
封装等效代码 TSOP54,.46,32
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified
刷新周期 8192
座面最大高度 1.2 mm
自我刷新 YES
连续突发长度 1,2,4,8,FP
最大待机电流 0.002 A
最大压摆率 0.18 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子形式 GULL WING
端子节距 0.8 mm
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
宽度 10.16 mm
参数规格与技术文档
Samsung Semiconductor
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