参数名称 | 参数值 |
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Source Content uid | LMC6484AMWG/883 |
Brand Name | Texas Instruments |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Active |
Objectid | 1126108916 |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | SOP, DIP14,.3 |
针数 | 14 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.33.00.01 |
风险等级 | 1.66 |
Samacsys Manufacturer | Texas Instruments |
Samacsys Modified On | 2023-03-07 08:49:05 |
YTEOL | 15 |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB) | 0.0001 µA |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.000025 µA |
最小共模抑制比 | 65 dB |
标称共模抑制比 | 82 dB |
频率补偿 | YES |
最大输入失调电流 (IIO) | 0.000025 µA |
最大输入失调电压 | 750 µV |
JESD-30 代码 | R-GDSO-G14 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 9.91 mm |
低-偏置 | YES |
低-失调 | NO |
微功率 | NO |
湿度敏感等级 | 1 |
功能数量 | 4 |
端子数量 | 14 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码 | SOP |
封装等效代码 | DIP14,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
包装方法 | TRAY |
功率 | NO |
可编程功率 | NO |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | MIL-STD-883 |
座面最大高度 | 2.33 mm |
最小摆率 | 0.54 V/us |
标称压摆率 | 1.3 V/us |
子类别 | Operational Amplifier |
最大压摆率 | 2.8 mA |
供电电压上限 | 16 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
标称均一增益带宽 | 1500 kHz |
最小电压增益 | 8000 |
宽带 | NO |
宽度 | 6.35 mm |