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MMBTH10-13
晶体管 > 射频小信号双极晶体管

MMBTH10-13

Diodes Incorporated
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, PLASTIC PACKAGE-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
8.53
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1990349627
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.53
YTEOL 0
最大集电极电流 (IC) 0.05 A
基于收集器的最大容量 0.7 pF
集电极-发射极最大电压 25 V
配置 SINGLE
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 TIN LEAD
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 650 MHz
参数规格与技术文档
Diodes Incorporated
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