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MMBTH10T/R7
晶体管 > 射频小信号双极晶体管

MMBTH10T/R7

PanJit Semiconductor
RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
6.5
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1031354733
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 6.5
YTEOL 3.5
基于收集器的最大容量 0.7 pF
集电极-发射极最大电压 25 V
配置 SINGLE
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
元件数量 1
端子数量 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 650 MHz
参数规格与技术文档
PanJit Semiconductor
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