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MMSF7P03HDR2
晶体管 > 功率场效应晶体管

MMSF7P03HDR2

7A, 30V, 0.035ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 751-05, SO-8
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥11.9435
市场总库存:
-
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
7.3
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Transferred
Objectid 1438895889
零件包装代码 SOT
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数 8
制造商包装代码 CASE 751-05
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 7.3
雪崩能效等级(Eas) 5000 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V
最大漏极电流 (ID) 7 A
最大漏源导通电阻 0.035 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 50 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Motorola Mobility LLC
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