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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 8034998728 |
| 包装说明 | VFBGA, |
| Reach Compliance Code | unknown |
| Country Of Origin | Taiwan |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.51 |
| Factory Lead Time | 10 weeks |
| 风险等级 | 1.68 |
| YTEOL | 5.74 |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B63 |
| JESD-609代码 | e1 |
| 长度 | 11 mm |
| 内存密度 | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 63 |
| 字数 | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 128KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | VFBGA |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 编程电压 | 3 V |
| 座面最大高度 | 1 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 类型 | SLC NAND TYPE |
| 宽度 | 9 mm |
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苏公网安备 32059002001873号