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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否无铅 |  不含铅 |
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Transferred |
| Objectid | 1500167462 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP-8 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.33.00.01 |
| 风险等级 | 7.8 |
| Samacsys Description | Operational Amplifiers - Op Amps Sinlge Supply Dual |
| Samacsys Manufacturer | New Japan Radio |
| Samacsys Modified On | 2023-03-07 16:10:32 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.25 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.25 µA |
| 标称共模抑制比 | 85 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电压 | 7000 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e6 |
| 长度 | 8.8 mm |
| 低-偏置 | NO |
| 低-失调 | NO |
| 微功率 | YES |
| 负供电电压上限 | |
| 标称负供电电压 (Vsup) | |
| 功能数量 | 2 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 功率 | NO |
| 可编程功率 | NO |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.7 mm |
| 标称压摆率 | 0.5 V/us |
| 最大压摆率 | 1.2 mA |
| 供电电压上限 | 32 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | TIN BISMUTH |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 标称均一增益带宽 | 200 kHz |
| 宽带 | NO |
| 宽度 | 7.62 mm |
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苏公网安备 32059002001873号