Fri Apr 19 2024 21:02:02 GMT+0800 (China Standard Time)

随身查
mini app
扫码添加小程序
手机随时查器件
NT5TU64M16GG-AD
存储 > DRAM

NT5TU64M16GG-AD

Nanya Technology Corporation
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.66
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1155475740
包装说明 FBGA, BGA84,9X15,32
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.32
风险等级 9.66
YTEOL 0
最长访问时间 0.4 ns
最大时钟频率 (fCLK) 400 MHz
I/O 类型 COMMON
交错的突发长度 4,8
JESD-30 代码 R-PBGA-B84
内存密度 1073741824 bit
内存集成电路类型 DDR2 DRAM
内存宽度 16
端子数量 84
字数 67108864 words
字数代码 64000000
组织 64MX16
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 FBGA
封装等效代码 BGA84,9X15,32
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified
刷新周期 8192
连续突发长度 4,8
最大待机电流 0.007 A
最大压摆率 0.25 mA
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
端子形式 BALL
端子节距 0.8 mm
端子位置 BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
参数规格与技术文档
Nanya Technology Corporation
团队正努力扩充器件资源,敬请期待!
相关器件
对比栏已满,请删除不需要的器件再继续添加哦!
对比栏
取消