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NT5TU64M16GG-BD
存储 > DRAM

NT5TU64M16GG-BD

Nanya Technology Corporation
DDR DRAM, 64MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, BGA-84
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.28
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 1625839637
零件包装代码 BGA
包装说明 TFBGA,
针数 84
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.32
风险等级 9.28
YTEOL 0
访问模式 MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.35 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH
备用内存宽度 8
JESD-30 代码 R-PBGA-B84
长度 12.5 mm
内存密度 1073741824 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM
内存宽度 16
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 84
字数 67108864 words
字数代码 64000000
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C
最低工作温度
组织 64MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm
自我刷新 YES
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 OTHER
端子形式 BALL
端子节距 0.8 mm
端子位置 BOTTOM
宽度 8 mm
参数规格与技术文档
Nanya Technology Corporation
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