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PBSM5240PF,115
晶体管 > 功率双极晶体管

PBSM5240PF,115

Nexperia
PBSM5240PF - 40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor with N-channel Trench MOSFET@en-us DFN 6-Pin
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥4.7104
市场总库存:
3,000
生命周期状态:
Active
风险等级:
1.39
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid PBSM5240PF,115
Brand Name Nexperia
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 8254304974
零件包装代码 DFN
包装说明 HUSON6, 6 PIN
针数 6
制造商包装代码 SOT1118
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.75
Factory Lead Time 6 weeks
Date Of Intro 2017-02-01
风险等级 1.39
Samacsys Manufacturer Nexperia
Samacsys Modified On 2022-06-22 21:39:32
YTEOL 4
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 1.8 A
集电极-发射极最大电压 40 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN FET AND DIODE
最小直流电流增益 (hFE) 140
JESD-30 代码 S-PDSO-N6
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 6
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 SQUARE
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 PNP
表面贴装 YES
端子面层 TIN
端子形式 NO LEAD
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 150 MHz
参数规格与技术文档
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