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PDTC114ET,215
晶体管 > 小信号双极晶体管

PDTC114ET,215

PDTC114ET - 50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ@en-us TO-236 3-Pin
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥1.0113
市场总库存:
11,386,857
生命周期状态:
Active
风险等级:
0.77
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid PDTC114ET,215
Brand Name Nexperia
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 4002388795
零件包装代码 TO-236
包装说明 PLASTIC PACKAGE-3
针数 3
制造商包装代码 SOT23
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Mainland China, Malaysia
ECCN代码 EAR99
Date Of Intro 1997-09-01
风险等级 0.77
Samacsys Description PDTC114E series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOhm, R2 = 10 kOhm
Samacsys Manufacturer Nexperia
Samacsys Modified On 2023-09-15 06:25:16
YTEOL 7
其他特性 BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC) 0.1 A
基于收集器的最大容量 3.5 pF
集电极-发射极最大电压 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 30
JEDEC-95代码 TO-236AB
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 NPN
认证状态 Not Qualified
参考标准 AEC-Q101; IEC-60134
表面贴装 YES
端子面层 TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 230 MHz
VCEsat-Max 0.3 V
参数规格与技术文档
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